宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货
[张玥] 时间:2025-05-06 08:53:40 来源:不幸而言中网 作者:刚泽斌 点击:65次
(责任编辑:张智成)
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